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低壓等離子體清洗與等離子體刻蝕工藝相似,都是利用等離子體產生的活性粒子,與材料表面發生反應從而去除材料表面的物質。但對于等離子清洗技術所需求的離子能量相比于等離子刻蝕工藝低,等離子刻蝕工藝去除的材料是固體材料(如硅基材料等),其利用具有離子轟擊協同作用的化學反應,有效的利用荷能離子來增強刻蝕反應速率,稱為反應離子刻蝕。然而等離子清洗工藝需要控制離子轟擊的作用,防止離子轟擊能量過大破壞材料表面。

等離子清洗與等離子刻蝕的區別

下面通過對下圖1等離子清洗原理圖，與下圖2等離子刻蝕原理圖進行講解，來幫助更好的理解等離子清洗與等離子刻蝕的區別。

圖1等離子清洗原理

圖2 等離子刻蝕原理

從圖1可以看出，等離子清洗主要是用來去除材料表面多余的污染物，而不對材料本身產生影響。通過等離子清洗，材料表面吸附的臟污得到了有效去除。

從圖2可以看出，等離子刻蝕主要是為了去除基體材料從而獲得所需形狀。等離子體刻蝕法的原理是通過反應性等離子體氣體從基材表面選擇性去除材料，因而是一種選擇性刻蝕。

等離子清洗與等離子刻蝕工藝的主要區別如下：

目的

等離子清洗：主要目的是去除物體表面的污染物，如有機物、氧化物、油污、顆粒等，以提高表面的清潔度和活性，為后續的粘接、焊接、涂覆、光刻等工藝提供良好的表面條件。例如，在電子元器件制造中，清洗芯片表面的雜質，確保芯片封裝時的良好連接。

等離子刻蝕：用于選擇性去除材料，以形成特定圖案或結構。在半導體制造、微機電系統（MEMS）制造等領域，用于在晶圓或其他材料上刻蝕出復雜的電路圖案、微通道、微結構等。比如制造集成電路時，在硅片上刻蝕出晶體管、布線等結構。

對材料的影響

等離子清洗：僅影響表面幾納米，不改變材料整體性質。對材料表面的損傷較小，主要是去除表面的污染物，一般不會改變材料的本體結構和性能，只是改善表面的清潔度和活性。

等離子刻蝕：會顯著改變材料表面形貌和結構。對材料的微觀結構和性能可能產生較大影響，例如改變材料的表面形貌、粗糙度、電學性能等，在刻蝕過程中需要精確控制工藝參數，以確保刻蝕的精度和對材料性能的影響在設計要求范圍內。

氣體選擇

等離子清洗：常用氧氣、氬氣、氫氣等，主要起清潔和改性作用。

等離子刻蝕：使用氟基、氯基等氣體，針對不同材料進行刻蝕。

以上就是關于等離子清洗和等離子刻蝕區別的主要介紹，等離子清洗可等離子刻蝕都是低溫等離子體技術在材料表面處理方面的應用。其最主要的區別就是，一個是去除材料本身不需要的部分，一個是去除材料表面附著的污染部分。