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干法 等離子刻蝕機NE-RE08H
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產品簡介

等離子刻蝕機主要由高真空刻蝕腔、真空抽氣系統、真空測量系統、壓力控制系統、電源系 統、工藝氣路系統、冷卻系統、電氣控制系統和控制軟件等部分組成。

等離子刻蝕是一種選擇性干法刻蝕方法,用于各種半導體器件、MEMS器件等的制造技 術,蝕刻用于形成非平面微觀結構-溝槽或臺面結構,以及具有受控角度的傾斜側壁,其兼 具高精加工精度和再現性。可刻蝕的材料包括但不限于單晶硅、多晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、聚合物等。


產品參數

型號NE-RE08H
極限真空度≤1×10-4 Pa
等離子發生器射頻電源,自動阻抗匹配
電極最大功率≥600W
樣品尺寸≤8英寸晶圓
等離子體刻蝕不均勻性≤3%
等離子體刻蝕速率≥0.1μm/min(以硅晶圓為基準)
刻蝕材料支持氟基和氧基刻蝕,可刻蝕材料包括但不限于單晶硅、多晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、聚合物等
工藝氣體四路反應氣體(SF6、CHF3、O2、Ar等)
電極材質不銹鋼
匹配器匹配穩定時間<3s
調壓速度≤30s
控制系統配備工控機自動控制系統
壓力控制系統0.5Pa~5Pa(精度:±1%;)
電極冷卻方式水冷
輸入電壓380V


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